سمینار افزاره های SOI عایق سیلیکونی

سمینار افزاره های SOI عایق سیلیکونی سمینار افزاره های SOI عایق سیلیکونی

دسته : سمینار برق

فرمت فایل : pdf

حجم فایل : 2506 KB

تعداد صفحات : 95

بازدیدها : 187

برچسبها : افزاره هاي SOI عایق سیلیکونی پروژه افزاره SOI

مبلغ : 10000 تومان

خرید این فایل

دانلود سمینار افزاره های SOI - سمينار براي دريافت درجه كارشناسي ارشد Sc.M مهندسي برق - الكترونيك

فهرست مطالب سمینار دانودی:

چکیده

مقدمه

فصل اول

بررسی افزاره های SOI

مقدمه

انواع افزاره های SOI

اثر بدنه

مقایسه عملکرد PD و FD در برابر اثر بدنه

مقایسه مدهای وارون و انباشتگی

اثرات کانال کوتاه SCE

وابستگی اثر کانال کوتاه به بایاس افزاره

وابستگی اثر کانال کوتاه به ساختار افزاره

وابستگی اثر کانال کوتاه به فرایند ساخت

اثرات کانال باریک

وابستگی به ساختار

قابلیت حرکت

وابستگی به میدان الکتریکی عمودی

وابستگی به میدان الکتریکی افقی

خلاصه

فصل دوم

بررسی اثرات بدنه شناور در ترانزیستور SOI

مقدمه

اثرات کینک در وارونگی شدید

اتصال بدنه

روش های مختلف برای کاهش اثرات کینک

رفتار زیر آستانه

افزاره های FD در مقابل PD

PD

وابستگی به DIBL

رفتار latch/ GIDL

خلاصه

فصل سوم

یونیزاسیون ضربه ای

مقدمه

تحلیل پایه یونیزاسیون ضربه ای

جریان بدنه

روش های مانیتورینگ

شکست

وابستگی به ساختار

خلاصه

فصل چهارم

نتیجه گیری و پیشنهادات

نتیجه گیری

پیشنهادات

منابع و ماخذ

فهرست منابع لاتین

چکیده انگلیسی

-------------

سمینار افزاره های SOI

بخشهایی از متن:

در حالت کلی هزینه ساخت مدارهای SOI از مدارهای سیلیسیمی گرانتر می باشد ، اما کوچک بودن ابعاد ترانزیستورها باعث می شود هزینه ساخت مدارهای SOI کمتر شود ، بطوری که در فناوری 0/3 میکرون ، هزینه ساخت از نوع مشابه bulk نیز کمتر است .

با توجه به کارآیی موثر این افزاره ها و کاربردهای گسترده آن در مدارات VLSI ، این سمینار به بررسی و تحلیل رفتارهای این افزاره در مقابل اثرات بدنه اثرات ،کانال کوتاه و اثرات کانال باریک و ... می پردازد و در این مسیر ، تاثیر پارامترهای مختلف از جمله تغییر ضخامت ناحیه فعال ، تغییر ضخامت لایه اکسید گیت ، تغییرات تراکم ناخالصی ها و... بر روی عملکرد افزاره بررسی می گردد و به طور کلی عوامل مختلفی که در افزایش یا کاهش کارآیی افزاره تاثیر بسزایی دارند ، مورد تحلیل قرار می گیرد .

انواع افزاره های SOI

با توجه به ضخامت ناحیه فعال میسیلیسمی، افزاره های SOI CMOS به افزاره هایی بـا ناحیه فعـال سیلیسیمی ضخیم و نازک تقسیم میگردند. اگر ناحیه فعال سیلیسیمی ضخیم باشد ، فقط قسمت بالایی آن تخلیه می گردد و قسمت پایین خنثی می ماند این نوع از افزاره های SOI CMOS قسمتهای تخلیه شده یا PD نامیده می شوند. اگر ناحیه فعال سیلیسیمی کاملاً تخلیه گردد ، آن را افزاره های کاملا تخلیه شده یا FD می نامند.

...

خرید و دانلود آنی فایل

به اشتراک بگذارید

Alternate Text

آیا سوال یا مشکلی دارید؟

از طریق این فرم با ما در تماس باشید